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IXFC 110N10P
250
Fig. 7. Input Adm ittance
70
Fig. 8. Trans conductance
225
200
175
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
60
50
150
125
100
75
50
25
0
40
30
20
10
0
T J = -40 o C
25 o C
150 o C
4
5
6
7
8
9
10
11
0
50
100
150
200
250
300
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 50V
I D = 55A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1 1.2 1.4
V S D - V olts
1.6
1.8
2
0
20
40
Q G
60 80
- nanoCoulombs
100
120
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig . 12. Fo r w ar d -Bias
Safe Op e r atin g A r e a
R DS (on) Lim it
25μs
C is s
100
100μs
1000
C os s
10
1m s
10m s
100
f = 1MH z
C rss
1
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - V olts
V D
S
- V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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IXFC14N60P 功能描述:MOSFET 600V 14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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